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IV 族半導体量子ドットの発光特性の解明
https://doi.org/10.24792/0002001000
https://doi.org/10.24792/0002001000d40c3615-0f77-4ad0-b009-b15ba294eb3e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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01 IV 族半導体量子ドットの発光特性の解明.pdf (2.6 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2024-09-20 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | IV 族半導体量子ドットの発光特性の解明 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Physical Properties for Photon Emission from Group-IV Semiconductor Quantum Dots | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | group-IV-semiconductor | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | quantum-dot | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | Si | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | SiGe | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | SiO2 | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | photoluminescence | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | hot-ion | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||
| 主題 | implantation | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.24792/0002001000 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
水野, 智久
× 水野, 智久× 青木, 孝
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | We developed very simple and ultra large scale integration ULSI compatible fabrication processes for group-IV (Si1-xGex and Si) semiconductor quantum dots (QDs) to apply hybrid ULSIs with photonic and electron devices, using double Ge+/Si+ hot-ion implantation into an SiO2 layer with larger bandgap EG and post-furnace annealing. We successfully demonstrated near-infrared (IR) photoluminescence (PL) from Si1-xGex-QD. Transmission electron microscopy observations of single crystallized Si1-xGex-QDs revealed that the diameter and QD density were 3.6 ± 0.9 nm and (2.6 ± 0.4) × 1012 cm-2, respectively. The PL spectrum of Si1-xGex- QDs was fitted by PL components of two QD structures containing Si1-xGex and Si materials. The PL intensity and PL-peak photon energy of Si1-xGex-QDs markedly depended on the Gefraction. Si1-xGex-QDs achieved maximum PL intensity at x ≈ 0.13. High PL-peak photon energy （～ 1.31 eV） of Si1-xGex-QDs is attributed to the quantum confinement effect of carriers in QDs. Secondly, we studied the PL intensity increase of Si-QD, using the novel process of hot N+-ion implantation at 800 ℃ into Si quantum dots (Si-QDs). We experimentally demonstrated that the PL intensity (IPL ) of Si-QDs increased with increasing N+-ion dose, because N atoms trapped within Si-QDs terminate the dangling bonds within Si-QDs and at the Si/SiO2 interface. Additionally, IPL of Si-QDs showed the maximum value at the optimal N+-ion dose of 5 × 1015 cm-2, which was 1.4-fold higher than that observed without hot N+-ion implantation. | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 原著 2023年度神奈川大学総合理学研究所共同研究助成論文 | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 書誌情報 |
ja : Science Journal of Kanagawa University en : Science Journal of Kanagawa University 巻 35, p. 1-8, 発行日 2023-07-30 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 1880-0483 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA12068302 | |||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 神奈川大学総合理学研究所 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | Research Institute for Integrated Science, Kanagawa University | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
