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IV族半導体量子ドットの基盤研究
http://hdl.handle.net/10487/00018149
http://hdl.handle.net/10487/000181494c1df90d-92d9-436b-beac-0e0c82abe3b1
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
03 IV族半導体量子ドットの基盤研究 (1.8 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-09-20 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | IV族半導体量子ドットの基盤研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Experimental Study of Group-IV Semiconductor Quantum Dots | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | IV-group-semiconductor | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | quantum-dot | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | SiC | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | C | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | photoluminescence | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Si-based photonics | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | quantum confinement | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | hot-ion implantation | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | oxide | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | IV-group-semiconductor | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | quantum-dot | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Si | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | SiC | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | C | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | photoluminescence | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Si-based photonics | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | quantum confinement | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | hot-ion implantation | |||||
| キーワード | ||||||
| 言語 | en | |||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | oxide | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 著者 |
水野, 智久
× 水野, 智久× 青木, 孝 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We experimentally studied three types of group-IV-semiconductor quantum-dots (IV-QDs) of Si-, SiC-, and C-QDs in a thermal SiO2 layer that were fabricated using a very simple hot-ion implantation technique for Si+, double Si+/C+, and C+ into the SiO2 layer, respectively, to realize a different wavelength photoluminescence (PL) emission from near-IR to near-UV ranges. TEM analyses newly confirmed both Si- and C-QDs with a diameter of approximately 2-4 nm in addition to SiC-QDs in SiO2. We successfully demonstrated very strong PL emission from three IV-QDs, and the peak photon energies (EPH ) (peak PL-wavelength) of Si-, SiC-, CQDs were approximately 1.56 eV (800 nm), 2.5 eV (500 nm), and 3.3 eV (380 nm), respectively. IV-QDs showed that the PL properties markedly depend on the hot-ion doses of Si and C atoms and post N2 annealing processes. Consequently, it is strainghtforward to design peak PL wavelengths by controlling the ion doses of Si+ and C+ implanted into the SiO2 layer. | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 原著 2021年度神奈川大学総合理学研究所共同研究助成論文 |
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| 書誌情報 |
en : Science Journal of Kanagawa University 巻 33, p. 15-20, 発行日 2022-07-30 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 1880-0483 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA12068302 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 神奈川大学総合理学研究所 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Research Institute for Integrated Science, Kanagawa University | |||||
