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  1. C0700 総合理学研究所
  2. 03 紀要論文
  3. 01 Science Journal of Kanagawa University
  4. 0180 18巻

イオン注入したダイヤモンド半導体のMeV級イオンビーム照射による電気的活性化の研究 : 高品質ダイヤモンド薄膜の形成と評価の研究(2)

http://hdl.handle.net/10487/1455
http://hdl.handle.net/10487/1455
5928736b-0f17-420b-babf-8c6ea1b1449e
名前 / ファイル ライセンス アクション
SJKU SJKU Vol 18 45-53.pdf (1.2 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2009-02-23
タイトル
タイトル イオン注入したダイヤモンド半導体のMeV級イオンビーム照射による電気的活性化の研究 : 高品質ダイヤモンド薄膜の形成と評価の研究(2)
言語
言語 jpn
キーワード
主題Scheme Other
主題 microwave plasma
キーワード
主題Scheme Other
主題 CVD
キーワード
主題Scheme Other
主題 diamond
キーワード
主題Scheme Other
主題 epitaxial layer
キーワード
主題Scheme Other
主題 Hall effect
キーワード
主題Scheme Other
主題 AFM
キーワード
主題Scheme Other
主題 surface cleaning process
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 中田, 穣治

× 中田, 穣治

WEKO 20839

中田, 穣治

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斎藤, 保直

× 斎藤, 保直

WEKO 20840

斎藤, 保直

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川崎, 克則

× 川崎, 克則

WEKO 20841

川崎, 克則

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服部, 俊幸

× 服部, 俊幸

WEKO 20842

服部, 俊幸

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Nakata, Jyoji

× Nakata, Jyoji

WEKO 20843

Nakata, Jyoji

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Saito, Yasunao

× Saito, Yasunao

WEKO 20844

Saito, Yasunao

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Kawasaki, Katsunori

× Kawasaki, Katsunori

WEKO 20845

Kawasaki, Katsunori

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Hattori, Toshiyuki

× Hattori, Toshiyuki

WEKO 20846

Hattori, Toshiyuki

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We have developed a microwave-plasma CVD apparatus for depositing epitaxial diamond layers on the diamond substrates. We reported in 2006 that high-quality diamond epitaxial layers were successfully deposited on these substrates, however, sharp peaks of points several microns high were also observed by using an Atomic Force Microprobe. We attributed these peaks to carbon nanotubes grown on the diamond substrate, because a high density of contamination atoms for species around iron element was detected by the Rutherford Backscattering analysis on the as-purchased diamond substrates. Therefore, in 2007, we adopted some cleaning processes for the diamond substrate surface before deposition, using acidic liquid. We successfully obtained high-quality diamond epitaxial layers without sharp high peaks, however, we observe a uneven hills. These can be attributed to the very small uneven surfaces of the as-purchased diamond substrates, due to inadequate polishing process at the diamond substrate maker. We are now reexamining the polishing process, including the etching process, to obtain clean and flat surfaces of the as-purchased diamond substrates.
書誌情報 Science Journal of Kanagawa University

巻 18, p. 45-53, 発行日 2007-05-25
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1880-0483
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12068302
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
その他の言語のタイトル
その他のタイトル Research into Electorical Activation of Ion-implanteed Diamond Semiconductor Using MeV Ion Beam Irradation : Research into Formation of High-Quality Diamond Epitaxial Thin Layers on the Diamond Substrates and Evaluation of These Layers (2)
出版者
出版者 神奈川大学
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Ver.1 2023-05-15 15:45:03.179651
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