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アイテム / 電子衝撃蒸着とSiイオン注入により単結晶Si基板上に形成した非晶質Si層の低エネルギーイオン照射による低温結晶化 / 理甲239 本文 4
理甲239 本文 4
| ファイル | ライセンス |
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 理甲239 本文 4.pdf (29.7 MB)
sha256
30d528e49287f4ce7f06af626ff121d15ba08c59c64855caf79d6f480bbf5aec
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| ファイル名 | 理甲239 本文 4.pdf | |||||
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| 本文URL | https://kanagawa-u.repo.nii.ac.jp/record/12576/files/理甲239 本文 4.pdf | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 29.7 MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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