WEKO3
アイテム
電子衝撃蒸着とSiイオン注入により単結晶Si基板上に形成した非晶質Si層の低エネルギーイオン照射による低温結晶化
http://hdl.handle.net/10487/00015682
http://hdl.handle.net/10487/00015682650a3873-062e-4e7c-a2ff-fee86ed85357
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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理甲239 内容の要旨および審査の結果の要旨 (242.3 kB)
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理甲239 本文 1.pdf (31.4 MB)
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理甲239 本文 2.pdf (26.9 MB)
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理甲239 本文 3.pdf (32.3 MB)
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理甲239 本文 4.pdf (29.7 MB)
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理甲239 本文 5.pdf (32.9 MB)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2019-06-28 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 電子衝撃蒸着とSiイオン注入により単結晶Si基板上に形成した非晶質Si層の低エネルギーイオン照射による低温結晶化 | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | jpn | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_db06 | |||||||
| 資源タイプ | doctoral thesis | |||||||
| アクセス権 | ||||||||
| アクセス権 | open access | |||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_abf2 | |||||||
| 著者 |
谷地田, 剛介
× 谷地田, 剛介
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| 書誌情報 | p. i-155, 発行日 2019 | |||||||
| 著者版フラグ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
| 出版者 | ||||||||
| 出版者 | 神奈川大学 | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | Thesis or Dissertation | |||||||
| 学位名 | ||||||||
| 学位名 | 博士（理学） | |||||||
| 学位授与機関 | ||||||||
| 学位授与機関識別子Scheme | kakenhi | |||||||
| 学位授与機関識別子 | 32702 | |||||||
| 学位授与機関名 | 神奈川大学 | |||||||
| 学位授与年月日 | ||||||||
| 学位授与年月日 | 2019-03-31 | |||||||
| 学位授与番号 | ||||||||
| 学位授与番号 | 博甲第239号 | |||||||
