| アイテムタイプ |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2019-06-07 |
| タイトル |
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タイトル |
ナノ構造シリコンカーバイドの基盤研究 |
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言語 |
ja |
| タイトル |
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タイトル |
Experimental Study on SiC Nano-Dots |
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言語 |
en |
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言語 |
jpn |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
3C-SiC |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
hexagonal-SiC |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
photoluminescence |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Si-based photonics |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
quantum dot |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
uncertainty principle |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
carbon-ion implantation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
SOI |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| 著者 |
水野, 智久
青木, 孝
前田, 辰郎
入沢, 寿史
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
We experimentally studied the optimization of the hot-C+-ion implantation process for forming nano-SiC (silicon carbide) regions in a (100) Si-on-insulator substrate at various hot-C+-ion implantation temperatures and C+ ion doses to improve photoluminescence (PL) intensity for future Si-based photonic devices. We successfully optimized the process by hot-C+-ion implantation at a temperature of about 700℃ and a C+ ion dose of approximately 4 × 1016 cm-2 to realize a high intensity of PL emitted from an approximately 1.5-nm-thick C atom segregation layer near the surface-oxide/Si interface. Moreover, atom probe tomography showed that implanted C atoms cluster in the Si layer and near the oxide/Si interface; thus, the C content locally condenses even in the C atom segregation layer, which leads to SiC formation. Corrector-spherical aberration transmission electron microscopy also showed that both 4H-SiC and 3C-SiC nanoareas near both the surface-oxide/Si and buried-oxide/Si interfaces partially grow into the oxide layer, and the observed PL photons are mainly emitted from the surface SiC nano areas. |
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言語 |
en |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
原著 |
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言語 |
ja |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
2017年度神奈川大学総合理学研究所共同研究助成論文 |
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言語 |
ja |
| 書誌情報 |
en : Science Journal of Kanagawa University
巻 29,
p. 13-18,
発行日 2018-06-30
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
PISSN |
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収録物識別子 |
1880-0483 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA12068302 |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| その他の言語のタイトル |
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その他のタイトル |
Experimental Study on SiC Nano-Dots |
| 出版者 |
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出版者 |
神奈川大学総合理学研究所 |
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言語 |
ja |
| 出版者 |
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出版者 |
Research Institute for Integrated Science, Kanagawa University |
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言語 |
en |
04 ナノ構造シリコンカーバイドの基盤研究 (3.2 MB)
